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Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
Structural and Photoluminescence Properties of Mn-doped ZnO Nanocolumns Grown by Cathodic Electrodeposition 期刊论文
Rare Metal Materials and Engineering, 2016, 卷号: 45, 期号: 2
作者:  Ping, C.;  B. Yue and Q. Zhi
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_CdZnTe_ZnSeTe_ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 期刊论文
物理学报, 2008, 期号: 10
作者:  张振中
caj(41Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：518/88  |  提交时间：2012/09/25