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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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文献类型
期刊论文 [3]
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2018 [3]
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收录类别:SCI
作者:陈伟
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2D Phosphorene: Epitaxial Growth and Interface Engineering for Electronic Devices
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2018, 卷号: 30, 期号: 47, 页码: 11
作者:
Zhang, Jia Lin
;
Han, Cheng
;
Hu, Zehua
;
Wang, Li
;
Liu, Lei
;
Wee, Andrew T. S.
;
Chen, Wei
收藏
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浏览/下载:292/0
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提交时间:2019/08/21
2D phosphorene
electronic devices
epitaxial growth
interface engineering
Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices
期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:
Liu, T.
;
Xiang, D.
;
Zheng, Y.
;
Wang, Y. A.
;
Wang, X. Y.
;
Wang, L.
;
He, J.
;
Liu, L.
;
Chen, W.
Adobe PDF(1999Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:505/132
  |  
提交时间:2019/09/17
homogeneous p-n junctions and inverters
MoTe2/BN heterostructures
nonvolatile and programmable
photodoping in MoTe2 devices
photoresist-free
transition-metal dichalcogenides
black phosphorus
mos2
wse2
inverters
graphene
diodes
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
2D Phosphorene_ Epitaxial Growth and Interface Engineering for Electronic Devices
期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 47, 页码: 11
作者:
Zhang, J. L.
;
Han, C.
;
Hu, Z. H.
;
Wang, L.
;
Liu, L.
;
Wee, A. T. S.
;
Chen, W.
Adobe PDF(3748Kb)
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收藏
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浏览/下载:710/157
  |  
提交时间:2019/09/17
2D phosphorene
electronic devices
epitaxial growth
interface
engineering
layer black phosphorus
2-dimensional materials
band-gap
transport-properties
carrier mobility
blue phosphorus
graphene
surface
functionalization
semiconductors
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics