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193nm投影光刻物镜光机系统关键技术研究进展
张德福; 李显凌; 芮大为; 李朋志; 东立剑; 张建国
2017-06-20
发表期刊中国科学:技术科学
页码565-581
摘要结合双/多曝光的193nm投影光刻是未来5~10年大规模集成电路工业化生产的主要方法.投影物镜作为光刻机的核心分系统,其光机系统关键技术的研究进展直接影响物镜整体性能的提升.本文分析了当前集成电路装备制造业对193nm投影物镜的需求,阐述了曝光系统设计、光学元件被动支撑、位姿调节、主动变形、元件更换和系统数值孔径调节等物镜光机系统关键技术研究现状,提炼了阻碍物镜未来发展的关键科学技术问题.目前,193nm光刻物镜尚需进一步阐明高阶热像差的产生机理和校正策略,解决多自由度位姿标定问题,形成完备的物镜研制方法,指导高成像质量物镜的制造.
关键词集成电路 光刻 投影物镜 波像差 调节机构 主动光学
DOID8980EF0F6B35B486B1A29F000A1122F
语种中文
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文献类型期刊论文
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专题中科院长春光机所知识产出
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张德福,李显凌,芮大为,等. 193nm投影光刻物镜光机系统关键技术研究进展[J]. 中国科学:技术科学,2017:565-581.
APA 张德福,李显凌,芮大为,李朋志,东立剑,&张建国.(2017).193nm投影光刻物镜光机系统关键技术研究进展.中国科学:技术科学,565-581.
MLA 张德福,et al."193nm投影光刻物镜光机系统关键技术研究进展".中国科学:技术科学 (2017):565-581.
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