Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 | |
王晓华; 单崇新; 张振中 ; 张吉英; 范希武; 吕有明; 刘益春; 申德振
| |
| 2003-08-30 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 04页码:371-374 |
| 关键词 | 复合量子阱 隧穿几率 光致发光 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/30250 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓华,单崇新,张振中,等. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究[J]. 发光学报,2003(04):371-374. |
| APA | 王晓华.,单崇新.,张振中.,张吉英.,范希武.,...&申德振.(2003).LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究.发光学报(04),371-374. |
| MLA | 王晓华,et al."LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究".发光学报 .04(2003):371-374. |
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