一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明)

	一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明)
	张吉英; 单崇新; 张振中; 申德振; 吕有明
	2005-07-13
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2005-07-13
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种对薄膜电致发光器件中发光薄膜制备方法的改进。用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）和低压下由高频感应产生等离子体使气体有机源分解，从而实现低温硫（硒）化锌－锰Ｚｎ（Ｓｅ）Ｓ：Ｍｎ薄膜生长。本发明的薄膜生长可在不同衬底上进行，且均可实现高亮度桔黄色光致发光和电致发光，发光波长位于５８０……
资助项目	1210775
申请号	1116433.6
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11389
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	张吉英,单崇新,张振中,等. 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明)[P]. 2005-07-13.