中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明)
	单崇新; 范希武; 张吉英; 张振中; 王晓华; 吕有明; 刘益春; 申德振
	2006-09-13
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2006-09-13
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于本发明属于半导体材料领域，涉及在半导体材料Ｓｉ衬底上生长Ⅱ－Ⅵ族薄膜的方法，是对Ⅱ－Ⅵ族半导体薄膜生长方法的改进，本发明先在Ｓｉ衬底上蒸镀一层ＺｎＯ薄膜，然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ＺｎＯ缓冲层，最后用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的方法在处理过的ＺｎＯ／Ｓｉ上生长Ⅱ－Ⅵ族半导体材料。在Ｓｉ上蒸……
资助项目	1275336
申请号	2144730.6
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11384
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	单崇新,范希武,张吉英,等. 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 (发明)[P]. 2006-09-13.

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CN200400150708000000（325KB）			开放获取	--	浏览 下载

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