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1. GaAs微尖上碳纳米管的制备 [2785]
2. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1199]
3. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1122]
4. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1089]
5. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [1036]
6. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [1029]
7. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [1010]
8. 碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性 [1009]
9. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [1002]
10. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [993]
11. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [988]
12. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [980]
13. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [955]
14. 掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 [932]
15. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [918]
16. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [901]
17. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [888]
18. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [823]
19. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [808]
20. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [772]
21. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [768]
22. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [760]
23. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [748]
24. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [725]
25. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [724]
26. HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 [690]
27. CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 [650]
28. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [648]
29. 嵌入式DSP冷轧带钢板形信号处理系统研制 [569]
30. 硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性 [559]
31. 电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_ [478]

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1. GaAs微尖上碳纳米管的制备 [2177]
2. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [363]
3. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [317]
4. 碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性 [316]
5. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [301]
6. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [298]
7. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [289]
8. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [281]
9. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [278]
10. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [274]
11. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [269]
12. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [262]
13. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [253]
14. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [249]
15. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [243]
16. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [238]
17. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [228]
18. HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 [227]
19. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [216]
20. 电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究 [209]
21. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [203]
22. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [202]
23. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [187]
24. CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 [156]
25. 掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 [141]
26. Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质 [134]
27. 嵌入式DSP冷轧带钢板形信号处理系统研制 [131]
28. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [130]
29. 硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性 [97]
30. 电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极_英文_ [90]
31. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [49]