中文版 | English

个人主页

成果统计

合作作者[TOP 5]

访问统计


  总访问量
 3927
  访问来源
    内部： 0
    外部： 3927
    国内： 3668
    国外： 259

  年访问量
 2218
  访问来源
    内部： 0
    外部： 2218
    国内： 2150
    国外： 68

  月访问量
 125
  访问来源
    内部： 0
    外部： 125
    国内： 86
    国外： 39

访问量

访问量

1. AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 [1227]
2. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [1187]
3. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [1106]
4. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [1080]
5. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [1025]
6. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [1016]
7. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [991]
8. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [983]
9. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [976]
10. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [974]
11. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [957]
12. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [945]
13. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [900]
14. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [893]
15. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [889]
16. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [872]
17. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [863]
18. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [805]
19. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [803]
20. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [779]
21. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [776]
22. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [772]
23. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [767]
24. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [767]
25. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [762]
26. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [756]
27. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [747]
28. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [743]
29. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [718]
30. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [701]
31. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [660]
32. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [647]
33. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [574]

下载量

1. Improved field emission performance of carbon nanotube by introduc.. [347]
2. 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) [308]
3. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) [290]
4. AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) [282]
5. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 [267]
6. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 [267]
7. Effect of AlN interlayer on a-plane AlGaN grown by MOCVD [262]
8. 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) [261]
9. Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline qu.. [251]
10. Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain p.. [245]
11. 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) [243]
12. GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 [235]
13. Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet .. [227]
14. Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semicondu.. [215]
15. Influence of threading dislocations on GaN-based metal… [210]
16. 多层GaSb_QDs_GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 [201]
17. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling.. [200]
18. Deposition of AlN films on nitrided sapphire substrates by reactiv.. [191]
19. Effect of GaN buffer layers on deposition of AlN films by DC react.. [182]
20. Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the cry.. [178]
21. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) [138]
22. 宽探测波段的ＩｎＧａＡｓ红外探测器 (发明) [137]
23. 采用纳米粒子提高ＡｌＧａＮ基探测器性能的方法 (发明) [117]
24. Study of AlN films doped by Si thermal diffusion [113]
25. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) [100]
26. 一种在硅衬底上生长非极性面ＡｌＮ模板的方法 (发明) [99]
27. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 (发明) [87]
28. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) [85]
29. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法 (发明) [80]
30. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路 (发明) [71]
31. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法 (发明) [64]
32. Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperat.. [48]
33. AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 [2]