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Tunneling of photon-generated carrier in the interface barrier induced resistive switching memory behaviour 期刊论文
Journal of Colloid and Interface Science, 2019, 卷号: 553, 页码: 682-687
作者:  B.Sun;  T.Guo;  G.D.Zhou;  S.Ranjan;  W.T.Hou;  Y.M.Hou;  Y.Zhao
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Resistive switching,Tunneling,Photon-generated carrier,Schottky,barrier,Memory device,wo3 nanoflakes,resistance,mechanism,device,Chemistry  
Modification of back electrode with WO3 layer and its effect on Cu2ZnSn(S,Se)(4)-based solar cells 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2018, 卷号: 113, 页码: 328-336
作者:  Shi, K.;  Yao, B.;  Li, Y. F.;  Ding, Z. H.;  Deng, R.;  Sui, Y. R.;  Zhang, Z. Z.;  Zhao, H. F.;  Zhang, L. G.
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CZTSSe  WO3  MoSe2  Barrier layer  Solar cell  Interface  efficiency  Physics  
WO_3薄膜热处理效应下的电致变色特性研究 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 2000, 期号: 03, 页码: 5-8
作者:  段潜;  刘大军;  何兴权;  赵维学;  刘延辉
caj(24Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：385/58  |  提交时间：2013/03/11
Wo3薄膜  电致变色