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GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:  王新建;  宋航;  黎大兵;  蒋红;  李志明;  缪国庆;  陈一仁;  孙晓娟
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Aln  Gan缓冲层  晶体结构  晶粒尺寸  
初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 581-585
作者:  贾辉;  陈一仁;  孙晓娟;  黎大兵;  宋航;  蒋红;  缪国庆;  李志明
caj(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:636/138  |  提交时间:2013/03/11
A-gan  各向异性  拉曼散射光谱  残余应变