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Photoelectric Properties of N Doped MgZnO Thin Films 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2019, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 956-960
作者:  P.-C.Zhao;  Z.-Z.Zhang;  B.Yao;  B.-H.Li;  X.-L.Li
caj(1183Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：160/49  |  提交时间：2020/08/24
Thin films,Carrier mobility,II-VI semiconductors,Light emission,Magnesium,Molecular beam epitaxy,Molecular beams,Nitrogen,Photoelectricity,Sapphire,Semiconductor alloys,Semiconductor doping,Zinc oxide