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AlGaN-based UV-C distributed Bragg reflector with a -cavity designed for an external cavity structure electron-beam-pumped VCSEL 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 820
作者:  Y. R. Chen, Z. W. Zhang, G. Q. Miao, H. Jiang, Z. M. Li and H. Song
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Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering  
Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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Novel Eu3+ -doped red-emitting phosphor Gd2Mo3O9 for white-light-emitting-diodes (WLEDs) application 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2007, 卷号: 433, 期号: 1—2, 页码: 352-355
作者:  Zhao X. X.;  Wang X. J.;  Chen B. J.;  Meng Q. Y.;  Di W. H.;  Ren G. Z.;  Yang Y. M.
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