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Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
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Photoluminescence characteristics of high quality ZnO nanowires and its enhancement by polymer covering 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 期号: 96, 页码: 023111
作者:  K. W. Liu;  R. Chen;  G. Z. Xing;  T. Wu;  H. D. Sun
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Improved electroluminescent performances of europium-complex based devices by doping into electron-transporting/hole-blocking host 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 22
作者:  Xin Q.;  Li W. L.;  Che G. B.;  Su W. M.;  Sun X. Y.;  Chu B.;  Li B.
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Temperature-dependent electroluminescence from (Eu, Gd) coordination complexes 期刊论文
Applied Physics Letters, 1997, 卷号: 71, 期号: 18, 页码: 2596-2598
作者:  Zhang X. M.;  Sun R. G.;  Zheng Q. B.;  Kobayashi T.;  Li W. L.
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