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2D Phosphorene_ Epitaxial Growth and Interface Engineering for Electronic Devices 期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 47, 页码: 11
作者:  Zhang, J. L.;  Han, C.;  Hu, Z. H.;  Wang, L.;  Liu, L.;  Wee, A. T. S.;  Chen, W.
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2D phosphorene  electronic devices  epitaxial growth  interface  engineering  layer black phosphorus  2-dimensional materials  band-gap  transport-properties  carrier mobility  blue phosphorus  graphene  surface  functionalization  semiconductors  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Bandgap engineering of Cu2CdxZn1-xSnS 4 alloy for photovoltaic applications: A complementary experimental and first-principles study 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 18
作者:  Xiao Z.-Y.;  Li Y.-F.;  Yao B.;  Deng R.;  Ding Z.-H.;  Wu T.;  Yang G.;  Li C.-R.;  Dong Z.-Y.;  Liu L.;  Zhang L.-G.;  Zhao H.-F.
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Experimental and first-principles study of ferromagnetism in Mn-doped zinc stannate nanowires 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 期号: 114
作者:  Deng R.;  Zhou H.;  Li Y.-F.;  Wu T.;  Yao B.;  Qin J.-M.;  Wan Y.-C.;  Jiang D.-Y.;  Liang Q.-C.;  Liu L.
Adobe PDF(1651Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：476/97  |  提交时间：2014/05/14