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制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO*薄膜的方法 （发明） 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 1300096, 申请日期: 2001-06-20, 公开日期: 2012-09-14
发明人:  索辉;  刘云;  王立军;  王庆亚;  向思清;  朱玉梅;  王兢
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