制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO*薄膜的方法 （发明）

	*制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO薄膜的方法（发明）**
	索辉; 刘云; 王立军; 王庆亚; 向思清; 朱玉梅; 王兢
	2001-06-20
专利权人	中国科学院长春光学精密机械研究所
公开日期	2012-09-14
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于半导体材料工艺技术，是一种与硅平面工艺兼容的制备纳米晶ＳｎＯ↓［２］薄膜的方法。采用溶胶－凝胶法，制备含有Ｓｎ（ＯＨ）↓［４］与聚乙二醇的溶胶，通过涂覆烘干预烧，高温烧结，形成纳米晶薄膜。制备溶胶的原料为无机盐ＳｎＣｌ↓［４］，加柠檬酸，用氨水滴定，……
申请日期	1999-12-15
专利号	1300096
语种	中文
申请号	99126828.8
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12606
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	索辉,刘云,王立军,等. 制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO*薄膜的方法（发明）. 1300096[P]. 2001-06-20.