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852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 640-646
作者:  徐华伟;  宁永强;  曾玉刚;  张星;  秦莉;  刘云;  王立军
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激光器  Algainas  量子阱  数值模拟  
阳极氧化法制备Y型TiO_2纳米管 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 03, 页码: 269-274
作者:  杨旭;  曲轶;  范翊;  刘星元
caj(2242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：513/123  |  提交时间：2013/03/11
阳极氧化  Y型tio2纳米管  电解液温度