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Design and comparison of GaAs, GaAsP and InGaAlAs quantum-well active regions for 808-nm VCSELs 期刊论文
Optics Express, 2011, 卷号: 19, 期号: 13, 页码: 12569-12581
作者:  Zhang Y.;  Ning Y. Q.;  Zhang L. S.;  Zhang J. S.;  Zhang J. W.;  Wang Z. F.;  Zhang J.;  Zeng Y. G.;  Wang L. J.
Adobe PDF(1817Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：493/94  |  提交时间：2012/10/21