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Formation of stable and reproducible low resistivity and high carrier concentration p-type ZnO doped at high pressure with Sb 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 2
作者:  Qin J. M.;  Yao B.;  Yan Y.;  Zhang J. Y.;  Jia X. P.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Shan C. X.;  Shen D. Z.
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