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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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Reduced efficiency roll-off in phosphorescent organic light emitting diodes at ultrahigh current densities by suppression of triplet-polaron quenching 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 2
作者:  Zang F. X.;  Sum T. C.;  Huan A. C. H.;  Li T. L.;  Li W. L.;  Zhu F. R.
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Observation of 1.5 mu m photoluminescence and electroluminescence from a holmium organic complex 期刊论文
Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5115-5117
作者:  Zang F. X.;  Li W. L.;  Hong Z. R.;  Wei H. Z.;  Li M. T.;  Sun X. Y.;  Lee C. S.
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