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Effect of In content of the buffer layer on crystalline quality and electrical property of In0.82Ga0.18As/InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Microelectronics Journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 398-400
作者:  Zhang T. M.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Xie J. C.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
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