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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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SiC/SiO2 core-shell nanowires with different shapes: Synthesis and field emission properties 期刊论文
Solid State Communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 15-16, 页码: 794-798
作者:  Cao L. Z.;  Jiang H.;  Song H.;  Liu X.;  Guo W. G.;  Yu S. Z.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.
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Scanning electron acoustic microscopy of semiconductor materials 期刊论文
Solid State Communications, 1996, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 853-857
作者:  Li S. W.;  Jiang F. M.;  Yin Q. R.;  Jin Y. X.
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Study of GaInAsSb epilayer by scanning electron acoustic microscopy 期刊论文
Solid State Communications, 1996, 卷号: 97, 期号: 11, 页码: 975-977
作者:  Li S. W.;  Jin Y. X.;  Zhang B. L.;  Ning Y. Q.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Yuan G.
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