中文版 | English

在结果中检索

CIOMP OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Wu, Y.;  Kai, C. H.;  Li, D. B.
浏览  |  Adobe PDF(4418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：418/130  |  提交时间：2019/09/17
light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography  
Modulating the Surface State of SiC to Control Carrier Transport in Graphene SiC 期刊论文
Small, 2018, 卷号: 14, 期号: 26, 页码: 7
作者:  Jia, Y. P.;  Sun, X. J.;  Shi, Z. M.;  Jiang, K.;  Liu, H. N.;  Ben, J. W.;  Li, D. B.
浏览  |  Adobe PDF(1800Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：339/127  |  提交时间：2019/09/17
carrier transport  graphene  KPFM  surface states  scale epitaxial graphene  transistors  face  frequency  charge  air  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7527-7531
作者:  Fu, Y. H.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jiang, K.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. A.;  Li, Z. M.;  Li, D. B.
浏览  |  Adobe PDF(5358Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：324/106  |  提交时间：2019/09/17
GaN  MOCVD  Defects  V-Pits  raman-scattering  quantum-wells  nitrides  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:  Ben, J. W.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Jiang, K.;  Shi, Z. M.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Kai, C. H.;  Wu, Y.;  Li, D. B.
浏览  |  Adobe PDF(4418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：417/143  |  提交时间：2019/09/17
light-emitting-diodes  high-quality aln  growth  temperature  sapphire  algan  efficiency  ratio  Chemistry  Crystallography