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Directed exfoliating and ordered stacking of transition-metal-dichalcogenides 期刊论文
Nanoscale, 2022, 卷号: 14, 期号: 20, 页码: 7484-7492
作者:  Y. S. Li;  X. H. Xie;  B. H. Li;  X. L. Sun;  Y. C. Yang;  J. S. Liu;  J. Y. Feng;  Y. Zhou;  Y. Z. Li;  W. Z. Liu;  S. P. Wang;  W. Wang;  H. Zeng;  Z. Z. Zhang;  D. W. Shen and D. Z. Shen
浏览  |  Adobe PDF(6300Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：84/40  |  提交时间：2023/06/14
Observation of robust charge transfer under strain engineering in two-dimensional MoS2-WSe2heterostructures 期刊论文
Nanoscale, 2021, 卷号: 13, 期号: 33, 页码: 14081-14088
作者:  S.-W. Zheng;  H.-Y. Wang;  L. Wang;  Y. Luo;  B.-R. Gao and H.-B. Sun
浏览  |  Adobe PDF(2010Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：108/42  |  提交时间：2022/06/13
Observation of quantum-confined exciton states in monolayer WS2quantum dots by ultrafast spectroscopy 期刊论文
Nanoscale, 2021, 卷号: 13, 期号: 40, 页码: 17093-17100
作者:  S.-W. Zheng;  L. Wang;  H.-Y. Wang;  C.-Y. Xu;  Y. Luo and H.-B. Sun
浏览  |  Adobe PDF(2994Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：85/44  |  提交时间：2022/06/13
Remarkable quality improvement of as-grown monolayer MoS2 by sulfur vapor pretreatment of SiO2/Si substrates 期刊论文
Nanoscale, 2020, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 1958-1966
作者:  P. Yang,Y. B. Shan,J. Chen,G. Ekoya,J. K. Han,Z. J. Qiu,J. J. Sun,F. Chen,H. M. Wang,W. Z. Bao,L. G. Hu,R. J. Zhang,R. Liu and C. X. Cong
浏览  |  Adobe PDF(2636Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：128/51  |  提交时间：2021/07/06
A two-dimensional TiB4 monolayer exhibits planar octacoordinate Ti 期刊论文
Nanoscale, 2017, 卷号: 9, 期号: 45
作者:  Qu, X.;  J. H. Yang;  Y. C. Wang;  J. Lv;  Z. F. Chen and Y. M. Ma
浏览  |  Adobe PDF(1729Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：329/125  |  提交时间：2018/06/13
Optimized growth of graphene on SiC: from the dynamic flip mechanism 期刊论文
Nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 10, 页码: 4522-4528
作者:  Wang, D. D.;  L. Liu;  W. Chen;  X. B. Chen;  H. Huang;  J. He;  Y. P. Feng;  A. T. S. Wee and D. Z. Shen
浏览  |  Adobe PDF(1618Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：268/64  |  提交时间：2016/07/15
Thermal stability of Mn2+ ion luminescence in Mn-doped core-shell quantum dots 期刊论文
Nanoscale, 2014, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 300-307
作者:  Yuan X.;  Zheng J. J.;  Zeng R. S.;  Jing P. T.;  Ji W. Y.;  Zhao J. L.;  Yang W. Y.;  Li H. B.
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