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一种适于宽带半导体硫(硒)化锌-锰薄膜的生长方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2005-07-13, 公开日期: 2005-07-13
发明人:  张吉英;  单崇新;  张振中;  申德振;  吕有明
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