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Enhanced deep ultraviolet emission from Si-doped AlxGa1-xN/AlN MQWs 期刊论文
Chinese Physics B, 2010, 卷号: 19, 期号: 12
作者:  Li D. B.;  Hu W. G.;  Hideto M.;  Kazumasa H.;  Song H.
Adobe PDF(955Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：366/69  |  提交时间：2012/10/21