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Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering  
Upconversion properties and temperature sensing behaviors in visible and near-infrared region based on fluorescence intensity ratio in LuVO4 Yb3+Er3+ 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 769, 页码: 325-331
作者:  Ma, Y.;  Xiang, G. T.;  Zhang, J. H.;  Liu, Z.;  Zhou, P.;  Liu, W.;  Tang, X.;  Jiang, S.;  Zhou, X. J.;  Li, L.;  Luo, Y. S.;  Jin, Y.
Adobe PDF(3052Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：405/102  |  提交时间：2019/09/17
Energy transfer  Upconversion  Fluorescence intensity ratio  Optical  thermometry  LuVO4: Yb3+/Er3+  hydrothermal synthesis  hexagonal-phase  luminescence  er3+  yb3+  nanocrystals  thermometry  lanthanide  phosphor  emission  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering