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Enhanced performance of GaAs-based betavoltaic batteries by using AlGaAs hole/electron transport layers 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 30, 页码: 9
作者:  R. Z. Zheng;  J. B. Lu;  Y. Wang;  L. Liang;  Y. G. Zeng;  L. Qin;  Y. Y. Chen;  X. Zhang;  Z. Y. Chen;  X. Y. Li;  X. X. Yuan and Y. M. Liu
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Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 卷号: 53, 期号: 23, 页码: 6
作者:  C. H. Kai,X. J. Sun,Y. P. Jia,K. Jiang,Z. M. Shi,J. W. Ben,Y. Wu,Y. Wang and D. B. Li
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Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.
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zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics  
Zn vacancies creation via (2 x 2) surface reconstruction 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 卷号: 50, 期号: 32
作者:  Xie, X. H.;  B. H. Li;  Z. Z. Zhang and D. Z. Shen
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A facile route to realize ultraviolet emission in a nano-engineered SnO2-based light-emitting diode 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2015, 卷号: 48, 期号: 46, 页码: 7
作者:  Huang, Y.;  Y. F. Li;  B. Yao;  Z. H. Ding;  R. Deng;  L. G. Zhang and H. F. Zhao
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