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Quantitative study of spin relaxation in rubrene thin films by inverse spin Hall effect 期刊论文
Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 115, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Z.H.Li;  T.Li;  D.C.Qi;  W.Tong;  L.Q.Xu;  J.Zhu;  Z.T.Zhang
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magnetoresistance,diffusion,transport,injection,Physics  
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
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