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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:SCI
出处:Crystengcomm
发表日期:2018
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:
Jiang, K.
;
Sun, X. J.
;
Ben, J. W.
;
Jia, Y. P.
;
Liu, H. N.
;
Wang, Y.
;
Wu, Y.
;
Kai, C. H.
;
Li, D. B.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
screw dislocations
threading dislocations
phase
epitaxy
gan
films
algan
core
edge
generation
Chemistry
Crystallography
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing
期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:
Ben, J. W.
;
Sun, X. J.
;
Jia, Y. P.
;
Jiang, K.
;
Shi, Z. M.
;
Liu, H. N.
;
Wang, Y.
;
Kai, C. H.
;
Wu, Y.
;
Li, D. B.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
high-quality aln
growth
temperature
sapphire
algan
efficiency
ratio
Chemistry
Crystallography