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Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission 期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1996, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 189-191
作者:  Liang J. C.;  Zhao J. L.;  Gao Y.;  Dou K.;  Huang S. H.;  Yu J. Q.;  Gao H. K.
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Studies on 0.96 and 0.84 eV photoluminescence emissions in GaAs epilayers grown on Si 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 7173-7176
作者:  Liang J. C.;  Jiang J. H.;  Zhao J. L.;  Gao Y.
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