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InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 期刊论文
半导体光电, 2002, 期号: 02, 页码: 90-91+95
作者:  李忠辉;  李梅;  王玲;  高欣;  王玉霞;  张兴德
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分别限制结构  阈值电流密度  外微分量子效率  
InGa As/Ga As量子点类脊型激光器的激射特性 期刊论文
中国激光, 2002, 期号: 04, 页码: 293-296
作者:  宁永强;  高欣;  王立军;  Peter Smowton;  Peter Blood
caj(46Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：413/66  |  提交时间：2013/03/11
量子点  脊型结构  Ingaas  阈值电流密度  
半导体量子点激光器的发展 期刊论文
光机电信息, 2002, 期号: 04, 页码: 26-30
作者:  宁永强;  王立军
caj(690Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：380/73  |  提交时间：2013/03/11
量子点激光器:9544  量子阱材料:1331  电流密度:1224  量子点材料:1167  面发射激光器:1095  半导体激光器:1050  特征温度:913  量子线:714  自组装:556  生长模式:547