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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Physical Review B
发表日期:2019
文献类型:期刊论文
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Optical response of (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots embedded in a GaP matrix
期刊论文
Physical Review B, 2019, 卷号: 100, 期号: 19, 页码: 19
作者:
P.Steindl
;
E.M.Sala
;
B.Alen
;
D.F.Marron
;
D.Bimberg
Adobe PDF(4756Kb)
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提交时间:2020/08/24
single-photon source,temperature-dependence,excitonic recombination,raman-spectra,oxygen donor,gaas,emission,luminescence,photoluminescence,localization,Materials Science,Physics
Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots
期刊论文
Physical Review B, 2019, 卷号: 100, 期号: 11, 页码: 14
作者:
P.Klenovsky
;
A.Schliwa
;
D.Bimberg
Adobe PDF(1784Kb)
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提交时间:2020/08/24
cyclotron-resonance,strain distribution,optical-properties,semiconductors,energy,gap,heterostructures