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Ultra-broadband near-infrared Gd3MgScGa2SiO12: Cr, Yb phosphors: Photoluminescence properties and LED applications 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2022, 卷号: 920, 页码: 9
作者:  L. P. Jiang;  X. Jiang;  J. H. Xie;  H. Y. Sun;  L. L. Zhang;  X. L. Liu;  Z. H. Bai;  G. C. Lv and Y. J. Su
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Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering  
New orange-red phosphor Sr9Sc(PO4)(7):Eu3+ for NUV-LEDs application 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2014, 卷号: 587, 页码: 493-496
作者:  Dong X. L.;  Zhang J. H.;  Zhang X.;  Hao Z. D.;  Luo Y. S.
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