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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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秦莉 [1]
张霞 [1]
李锋 [1]
文献类型
期刊论文 [3]
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2019 [1]
2018 [2]
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出处
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Chinese Op... [1]
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Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output
期刊论文
Acs Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1990-1995
作者:
Q.N.Yu
;
M.Zheng
;
H.X.Tai
;
W.Lu
;
Y.Shi
;
J.H.Yue
;
X.Zhang
;
Y.Q.Ning
;
J.Wu
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提交时间:2020/08/24
InGaAs/GaAs,strains,quantum confined lasers,indium-rich clusters,dual wavelengths,polarization,surface-emitting laser,semiconductor-laser,temperature-dependence,segregation,emission,growth,si,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Optics,Physics
Experimental investigation of loss and gain characteristics of an abnormal InxGa1-xAs-GaAs quantum well structure
期刊论文
Chinese Optics Letters, 2018, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 5
作者:
Jia, Y.
;
Yu, Q. N.
;
Li, F.
;
Wang, M. Q.
;
Lu, W.
;
Zhang, J.
;
Zhang, X.
;
Ning, Y. Q.
;
Wu, J.
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提交时间:2019/09/17
semiconductor-lasers
midinfrared laser
segregation
emission
Optics
Microscopic View of Defect Evolution in Thermal Treated AlGaInAs Quantum Well Revealed by Spatially Resolved Cathodoluminescence
期刊论文
Materials, 2018, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 11
作者:
Song, Y.
;
Zhang, L. G.
;
Zeng, Y. G.
;
Qin, L.
;
Zhou, Y. L.
;
Ning, Y. Q.
;
Wang, L. J.
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提交时间:2019/09/17
AlGaInAs quantum well
metal organic chemical vapor deposition
cathodeluminescence
thermal treatment
segregation
lasers
inp
semiconductors
dislocations
ingaalas
epitaxy
origin
band
Materials Science