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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices
期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:
Liu, T.
;
Xiang, D.
;
Zheng, Y.
;
Wang, Y. A.
;
Wang, X. Y.
;
Wang, L.
;
He, J.
;
Liu, L.
;
Chen, W.
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提交时间:2019/09/17
homogeneous p-n junctions and inverters
MoTe2/BN heterostructures
nonvolatile and programmable
photodoping in MoTe2 devices
photoresist-free
transition-metal dichalcogenides
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