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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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赵建 [1]
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2018 [3]
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Effect of Dielectric Distributed Bragg Reflector on Electrical and Optical Properties of GaN-Based Flip-Chip Light-Emitting Diodes
期刊论文
Micromachines, 2018, 卷号: 9, 期号: 12, 页码: 9
作者:
Zhou, S. J.
;
Xu, H. H.
;
Liu, M. L.
;
Liu, X. T.
;
Zhao, J.
;
Li, N.
;
Liu, S.
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提交时间:2019/09/17
flip-chip light-emitting diodes
distributed Bragg reflector
light
output power
external quantum efficiency
quantum-well
p-type
leds
performance
wavelength
contacts
ito/dbr
laser
power
fabrication
Science & Technology - Other Topics
Instruments & Instrumentation
AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices
期刊论文
Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110
作者:
Li, D. B.
;
Jiang, K.
;
Sun, X. J.
;
Guo, C. L.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
high-quality aln
temperature
stimulated-emission
2nd-order optical-response
atomic-layer epitaxy
vapor-phase epitaxy
z-scan measurement
p-type conduction
room-temperature
avalanche photodiodes
Optics
Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Shen, D. Z.
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提交时间:2019/09/17
zinc oxide
p-type
self-compens-tion
doping
molecular-beam epitaxy
thin-films
room-temperature
mgzno films
diodes
nanoparticles
modulation
gan(0001)
inversion
epilayers
Physics