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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Anomalous Broadband Spectrum Photodetection in 2D Rhenium Disulfide Transistor
期刊论文
Advanced Optical Materials, 2019, 卷号: 7, 期号: 23, 页码: 9
作者:
D.Xiang
;
T.Liu
;
J.Y.Wang
;
P.Wang
;
L.Wang
;
Y.Zheng
;
Y.N.Wang
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提交时间:2020/08/24
2D ReS2 transistors,bolometric modes,low noise equivalent power,fast,photoresponse,photocurrent polarity switching,sub-bandgap,photodetection,field-effect transistors,layer res2,graphene,optoelectronics,semiconductor,mos2,Materials Science,Optics
High-performance and flexible photodetectors based on chemical vapor deposition grown two-dimensional In2Se3 nanosheets
期刊论文
Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 期号: 44, 页码: 6
作者:
Feng, W.
;
Gao, F.
;
Hue, Y. X.
;
Dai, M. J.
;
Li, H.
;
Wang, L. F.
;
Hue, P.
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提交时间:2019/09/17
In2Se3
photodetector
flexible devices
two-dimensional materials
inse nanosheets
thin-film
responsivity
bandgap
gas
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