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MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 03, 页码: 294-298
作者:  张登巍;  缪国庆
caj(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：512/132  |  提交时间：2013/03/11
自催化法  金属有机化学气相沉积  Inp/ingaas核壳结构  纳米线