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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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High quality 2-m GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 3
作者:
J.-M.Shang
;
J.Feng
;
C.-A.Yang
;
S.-W.Xie
;
Y.Zhang
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提交时间:2020/08/24
Gallium compounds,Antimony compounds,III-V semiconductors,Molecular beam epitaxy,Molecular beams,Optically pumped lasers,Pumping (laser),Quantum well lasers,Semiconductor quantum wells,Silicon carbide,Silicon compounds,Tellurium compounds,Wide band gap semiconductors
Investigation on ideality factor of 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser
期刊论文
Infrared and Laser Engineering, 2018, 卷号: 47, 期号: 5
作者:
Li Xiang
;
Wang Hong
;
Qiao Zhongliang
;
Zhang Yu
;
Xu Yingqiang
;
Niu Zhichuan
;
Tong Cunzhu
;
Liu Chongyang
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提交时间:2019/09/17
Gallium compounds
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