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V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  付英昊
caj(4204Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：195/0  |  提交时间：2019/09/23
氮化镓  金属有机物气相沉积  V形坑缺陷  
大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 期刊论文
发光学报, 2016, 期号: 11, 页码: 1305-1309
作者:  王新强;  黎大兵;  刘斌;  孙钱;  张进成
caj(2717Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：484/110  |  提交时间：2017/09/17
氮化镓  大失配  强极化  生长动力学  载流子调控  
GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 1, 页码: 55-60
作者:  尤坤;  宋航;  黎大兵;  刘洪波;  李志明;  陈一仁;  蒋红;  孙晓娟;  缪国庆
caj(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：723/165  |  提交时间：2013/03/11
氮化镓  氮化硅  探测器  电流输运机制