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CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究 期刊论文
半导体学报, 1995, 期号: 09, 页码: 669-672
作者:  杨文库;  杨宇欣;  邓文荣
caj(135Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：466/54  |  提交时间：2013/03/11
异质结:6566  内建电压:5958  Cuinse_2:3548  理论和方法:2277  零偏压:1208  电荷密度:817  异质结光电池:666  介电常数:603  泊松方程:572  有效空间:567