Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究 | |
| 杨文库; 杨宇欣; 邓文荣 | |
| 1995-09-08 | |
| 发表期刊 | 半导体学报
 |
| 期号 | 09页码:669-672 |
| 关键词 | 异质结:6566 内建电压:5958 Cuinse_2:3548 理论和方法:2277 零偏压:1208 电荷密度:817 异质结光电池:666 介电常数:603 泊松方程:572 有效空间:567 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31939 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨文库,杨宇欣,邓文荣. CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究[J]. 半导体学报,1995(09):669-672. |
| APA | 杨文库,杨宇欣,&邓文荣.(1995).CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究.半导体学报(09),669-672. |
| MLA | 杨文库,et al."CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究".半导体学报 .09(1995):669-672. |
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