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一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10
发明人:  武晓杰;  张吉英;  刘可为;  申德振;  范希武;  李炳生
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