一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法 (发明)

	一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法 (发明)
	武晓杰; 张吉英; 刘可为; 申德振; 范希武; 李炳生
	2008-09-10
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2008-09-10
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及采用低压－金属有机化学气相沉积设备外延生长稀磁半导体合金薄膜的方法。首先选择晶格匹配较好的半导体衬底并进行清洗和６００－６５０℃热处理。采用的反应源为：二甲基镉（ＤＭＣｄ），五羰基铁Ｆｅ（ＣＯ）↓［５］及硫化氢（Ｈ↓［２］Ｓ）。用Ｈ↓［２］作为载气。通过选择合适的反应源流速、沉积温度及生长室压力等参数及对Ｃｄ……
资助项目	100418201
申请号	200510017029.1
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11375
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	武晓杰,张吉英,刘可为,等. 一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法 (发明)[P]. 2008-09-10.