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GaN-Based Ultraviolet Phototransistor With Two Parallel Polarization-Doped Junctions and an Al0.20Ga0.80N Insertion Layer to Achieve Low Dark Current and High Detectivity 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2023, 页码: 6
作者:  Z. Xuan, C. S. Chu, K. K. Tian, Z. J. Zhu, Z. W. Xie, K. Jiang, Y. H. Zhang, X. J. Sun, Z. H. Zhang and D. B. Li
浏览  |  Adobe PDF(1106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2024/07/26