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1.3-mu m emission of Nd : LaF3 thin films grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
Ieee Journal of Quantum Electronics, 2000, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 243-247
作者:  Zhang X.;  Lahoz F.;  Serrano C.;  Lacoste G.;  Daran E.
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Infrared-laser-induced upconversion from Nd3+: LaF3 heteroepitaxial layers on CaF2(111) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文
Physical Review B, 2000, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 4446-4454
作者:  Zhang X.;  Serrano C.;  Daran E.;  Lahoz F.;  Lacoste G.;  MunozYague A.
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