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Transparency Engineering in Quantum Dot-Based Memories 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 13, 页码: 7
作者:  Arikan, I. F.;  Cottet, N.;  Nowozin, T.;  Bimberg, D.
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band engineering  memory  quantum dots  resonant tunnel  resonant-tunneling current  dependence  Materials Science  Physics  
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P.;  Christen, J.;  Strittmatter, A.;  Bimberg, D.
浏览  |  Adobe PDF(2191Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：342/71  |  提交时间：2019/09/17
AlP barrier  GaP  InGaSb  MOVPE growth  nanoscale memory  quantum dots  hole localization  ohmic contacts  luminescence  resistance  Physics