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碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004, 期号: 02, 页码: 219-222
作者:  王向武;  张岚;  黄子乾;  潘彬;  李肖;  李忠辉
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金属有机化合物化学气相沉积  铝镓砷  碳掺杂  激光器  
850nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器 期刊论文
中国激光, 2002, 期号: 01, 页码: 5-6
作者:  李忠辉;  王玉霞;  王玲;  高欣;  王向武;  张兴德
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有源区  大功率激光器  分别限制单量子阱  
LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器 期刊论文
半导体学报, 2001, 期号: 12, 页码: 1557-1560
作者:  李忠辉;  王向武;  杨进华;  张兴德
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金属有机化合物气相外延  宽波导  分别限制  单量子阱  无铝激光器  
LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 期号: 03, 页码: 232-235
作者:  李忠辉;  张宝顺;  杨进华;  张兴德;  王向武
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分别限制结构  单量子阱  激光器  
分别限制异质结可见光半导体激光器 期刊论文
激光技术, 1994, 期号: 04, 页码: 194-197
作者:  王向武;  张兴德;  任大翠
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分别限制异质结  可见光  半导体激光器  
分别限制异质结激光器的特性研究 期刊论文
激光技术, 1989, 期号: 05, 页码: 11-14
作者:  王向武;  张兴德;  任大翠;  杨海泉
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宽接触激光器:4158  结构参数:4118  分别限制:3869  异质结激光器:3129  束发散:2960  输出功率:2866  折射率变化:2617  设计参数:2599  电流密度:2294  载流子浓度:2263  
大光腔GaAs/Ga_(1-x)AlxAs激光器阈值功率特性研究 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1988, 期号: 03, 页码: 133-136
作者:  张兴德;  任大翠;  王向武;  杨海泉;  张千勇;  史全林
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大光腔激光器  阈值特性  功率特性  
分别限制异质结半导体激光器 期刊论文
激光技术, 1988, 期号: 02, 页码: 27-29
作者:  王向武;  张兴德;  任大翠;  王玲
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半导体激光器:7560  研制成功:3223  束发散:3207  峰值功率:3058  全宽度:2336  分别限制异质结:1514  阈值:1306  禁带宽度:1204  光场分布:1047  精密机械:897