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高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器 期刊论文
光学学报, 1997, 期号: 12, 页码: 15-18
作者:  朱宝仁;  张兴德;  薄报学;  张宝顺;  杨忠和
caj(84Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：403/53  |  提交时间：2013/03/11
半导体激光器  高功率  分别限制结构